【賽迪網(wǎng)訊】12月5日消息，據(jù)國外媒體報道，IBM和美光公司近日宣布，美光公司將開始生產(chǎn)一款新的存儲芯片—采用3D制程的商用芯片。這一芯片將使用IBM的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技術(shù)(through-silicon vias; TSVs)。
 

IBM在一份聲明中稱，IBM的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技術(shù)能使美光的混合式記憶體立方體（HMC）的傳輸速度達到當(dāng)前技術(shù)的15倍。
 

IBM將在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會議上展示它的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技術(shù)（TSV）。
 

美光的混合式記憶體立方體的一部分將在IBM位于紐約的晶圓廠進行生產(chǎn)，使用該公司32納米high-K金屬閘極硅晶技術(shù)制造。
 

美光的混合式記憶體立方為DRAM封裝的一項突破，它的基本理念是將芯片層層疊起，較當(dāng)前技術(shù)用到更多且速度更快的數(shù)據(jù)通路。 其最初的原型能以每秒128GB的速率執(zhí)行，未來技術(shù)成熟后速率會更高，而目前的記憶體芯片的速率為12.8GB/s。此外，HMC使用的電力也減少了70%。